Ano ang prinsipyo ng mabilis na pagbawi ng diode overheating failure

Suriin ang huling isyu, ipinakilala ko nang detalyado ang 9 na uri ng mga capacitor na karaniwang ginagamit sa aming mga elektronikong sangkap, ang mga materyal na katangian ng mga capacitor ay dapat ipakilala at suriin nang detalyado, ngayon dahil ang Z malapit sa domestic silicon nitride na mga negosyo ay nag-udyok din sa isang bagong alon ng financing boom, ang industriya ng semiconductor ay madalas na kumikilos, pagkatapos ay pag-uusapan natin ang tungkol sa semiconductor na dulot ng mabilis na pagbawi.  Ang thermal failure ay tumutukoy sa mabilis na pag-recover ng diode work na dulot ng pagtaas ng power consumption, higit sa junction temperature Tjm na pinapayagan ng device, na nagreresulta sa thermal breakdown ng device.

Ang thermal breakdown ay nauugnay sa operating temperature ng device, at ang intrinsic temperature na Tint ay karaniwang ginagamit upang mahulaan ang mekanismo ng pinsala ng device habang tumataas ang temperatura. Kapag tumaas ang temperatura, ang carrier concentration ni (T) ay katumbas ng temperatura ng substrate doping concentration ND. Habang tumataas ang temperatura, tumataas nang husto ang konsentrasyon ng carrier. Ang tint ay nauugnay sa konsentrasyon ng doping, at ang Tint ay mas mababa para sa karaniwang mataas na boltahe na aparato kaysa sa mababang boltahe na aparato. Ang device na Tjm ay karaniwang mas maliit kaysa sa Tint dahil sa mga materyales, proseso, at iba pang salik.   Dahil ang aktwal na aparato ay hindi gumagana sa thermal equilibrium, kinakailangan ding isaalang-alang kung paano gumagana ang aparato na may kaugnayan sa temperatura. Halimbawa, sa inverter, ang pagkonsumo ng kuryente na nabuo sa pamamagitan ng kasalukuyang pagpapadaloy, ang estado ng cutoff ay sanhi ng kasalukuyang pagtagas, at ang paggamit ng kuryente na nabuo ng mataas na reverse boltahe sa panahon ng proseso ng reverse recovery ay nagpapataas ng temperatura ng pagpapatakbo ng device at nagiging sanhi ng pasulong na feedback sa pagitan ng temperatura at kasalukuyang, at sa kalaunan ay nangyayari ang thermal breakdown. Samakatuwid, ang thermal breakdown ay nangyayari kapag ang thermally generated power density ay mas malaki kaysa sa dissipated power density na tinutukoy ng device packaging system. Upang maiwasan ang thermal failure ng device, ang operating temperature nito ay karaniwang pinananatili sa ibaba ng Tjm.

Kung ang aparato ay nagsimulang matunaw nang lokal, ito ay nagpapahiwatig na ang mabilis na pagbawi ng diode ay nabigo sa thermally. Kung ang lokal na temperatura ay masyadong mataas at nangyayari sa may tuldok na lugar, magdudulot din ito ng mga bitak sa core. Kapag mataas ang mabilis na pagbawi ng operating frequency ng diode, ang mataas na frequency transition sa pagitan ng break state at pass state ay bubuo ng malaking halaga ng power consumption, maaaring mag-iba ang overheating failure form ng device. Gayunpaman, habang tumataas ang temperatura, nagsisimulang mawala ang kakayahan sa pagharang at halos lahat ng planar terminal ay masisira sa mga gilid. Samakatuwid, ang punto ng pinsala ay karaniwang matatagpuan sa gilid ng device, o hindi bababa sa gilid nito.